Раздел [RUS]
ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ
Страницы 19-22
Заглавие [RUS]
NEXAFS И XPS ИССЛЕДОВАНИЯ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ

[ENG]
NEXAFS AND XPS STUDIES OF POROUS SILICON
Авторы [RUS]
НЕКИПЕЛОВ
С.В.
Сыктывкарский госуниверситет им. П. Сорокина
NekipelovSV@mail.ru

[RUS]
ЛОМОВ
А.А.
Физико-технологический институт РАН
NekipelovSV@mail.ru

[RUS]
МИНГАЛЕВА
А.Е.
Сыктывкарский госуниверситет им. П. Сорокина
NekipelovSV@mail.ru

[RUS]
ПЕТРОВА
О.В.
Сыктывкарский госуниверситет им. П. Сорокина
NekipelovSV@mail.ru

[RUS]
СИВКОВ
Д.В.
Физико-математический институт ФИЦ Коми НЦ УрО РАН
NekipelovSV@mail.ru

[RUS]
ШОМЫСОВ
Н.Н.
Физико-математический институт ФИЦ Коми НЦ УрО РАН
NekipelovSV@mail.ru

[RUS]
ШУСТОВА
Е.Н.
Сыктывкарский госуниверситет им. П. Сорокина
NekipelovSV@mail.ru

[RUS]
СИВКОВ
В.Н.
Физико-математический институт ФИЦ Коми НЦ УрО РАН
NekipelovSV@mail.ru

[ENG]
NEKIPELOV
S.V.

[ENG]
LOMOV
A.A.

[ENG]
MINGALEVA
A.E.

[ENG]
PETROVA
O.V.

[ENG]
SIVKOV
D.V.

[ENG]
SHOMYSOV
N.N.

[ENG]
SHUSTOVA
E.N.

[ENG]
SIVKOV
V.N.

Аннотация [RUS]
Методами ультрамягкой рентгеновской спектроскопии с применением синхротронного излучения исследованы пористые слои кремния с различными типами проводимости. Определена эффективная толщина оксида на поверхности кремниевого скелетона и изучена структура интерфейса на границе кремний/оксид кремния. Показано, что тонкая структура спектров поглощения Si 2p кремниевого скелета совпадает с тонкой структурой спектра кристаллического кремния, а толщина оксидного слоя на поверхности пористого кремния 1,8-2,4 нм для различных образцов. Параметр x в стехиометрической формуле SiOх оксида кремния находится в диапазоне 1,66-1,82.

[ENG]
By ultra-soft x-ray spectroscopy methods with the use of synchrotron radiation, porous layers of silicon with various types of conductivity were investigated. The effective thickness of the oxide on the surface of a silicon skeleton was determined and the interface structure at the silicon/silicon oxides interface was studied. It was shown that the fine structure of the Si 2p absorption spectra of the silicon skeleton is identical to that of the spectrum of crystalline silicon, and the thickness of the oxide layer on the surface of porous silicon is 1.8-2.4 nm for various samples.The parameter x in the stoichiometric formula SiOх of silicon oxide is in the range of 1,66-1,82.
Ключевые слова [RUS]
porous silicon
oxide layer
NEXAFS spectroscopy
XPS spectroscopy


[ENG]
пористый кремний
оксидный слой
NEXAFS-спектроско- пия
XPS-спектроскопия
Файлы fiz-mat.pdf